铸造单晶硅材料——生长和缺陷控制
文档名：铸造单晶硅材料——生长和缺陷控制
铸造单晶硅是目前光伏硅晶体发展的重要方向，面临高位错密度、单晶率、籽晶成本和材料利用率等问题的挑战，位错(包括分散位错和位错团)是制约单晶硅质量的关键因素，晶界工程可以降低位错团，明显提高晶体质量。
作者：杨德仁
作者单位：硅材料国家重点实验室(浙江大学)
母体文献：2018年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会论文集
会议名称：2018年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会
会议时间：2018年11月1日
会议地点：南昌
主办单位：中国可再生能源学会,上海市太阳能学会
语种：chi
分类号：TM2TL8
关键词：单晶硅晶体生长缺陷控制晶界特性
在线出版日期：2019年11月29日
基金项目：
相似文献
相关博文
页:
[1]