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铸造单晶硅材料——生长和缺陷控制

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admin 发表于 2024-12-12 00:04 | 查看全部 阅读模式

文档名:铸造单晶硅材料——生长和缺陷控制
铸造单晶硅是目前光伏硅晶体发展的重要方向,面临高位错密度、单晶率、籽晶成本和材料利用率等问题的挑战,位错(包括分散位错和位错团)是制约单晶硅质量的关键因素,晶界工程可以降低位错团,明显提高晶体质量。
作者:杨德仁
作者单位:硅材料国家重点实验室(浙江大学)
母体文献:2018年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会论文集
会议名称:2018年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会  
会议时间:2018年11月1日
会议地点:南昌
主办单位:中国可再生能源学会,上海市太阳能学会
语种:chi
分类号:TM2TL8
关键词:单晶硅  晶体生长  缺陷控制  晶界特性
在线出版日期:2019年11月29日
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