硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
Testmethodsforminoritycarrierlifetimeinbulkgermaniumandsiliconbymeasurementofphotoconduetivitydecay
摘要:本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测定方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。本标准为脉冲光方法。这种方法不破坏试样的内在特性，试样可以重复测试，但要求试样具有特殊的条形尺寸和淹没的表面，见表1。本标准可测的最低寿命值为10μs，取决于光源的余辉。不适用于抛光片的验收测试。
标准编号：GB/T1553-2009
标准类型：
发布单位：CN-GB
发布日期：2009年1月1日
强制性标准：否
实施日期：2010年1月1日
关键词：锗,硅,半导体材料,晶体,衰减,寿命,半导体,GERMANIUM,SILICON,SILICONE,SEMICONDUCTORMATERIALS,CRYSTALS,ATTENUATION,ATTENUATIONS,ATTENUATORS,DECAYING,FADING,LIFE(DURABILITY),LIFE(DURABILITY),LIFE：DURABILITY,LIFEDURABILITY,SEMICONDUCTORS
GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法.pdf
- 文件大小:
- 1015.88 KB
- 下载次数:
- 60
-
高速下载
|
|
