GBT 1557-2006 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
Themethodofdetermininginterstitialoxygencontentinsiliconbyinfraredabsorption

摘要:本标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶中的间隙氧含量的方法。本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω•cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω•cm的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。本标准测量氧含量的有效范围从1×10at•cm到硅中间隙氧的最大固溶度。

标准编号：GB/T1557-2006
标准类型：
发布单位：CN-GB
发布日期：2006年1月1日
强制性标准：否
实施日期：2006年1月1日
关键词：硅,晶体,间隙,氧,含量测定,SILICONE,SILICON,CRYSTALS,CLEARANCES,BACKLASHES,CLEARANCE,OXYGEN,CONTENTDETERMINATION,CONTENTDETERMINATIONS,DETERMINATIONOFCONTENT

GB/T 1557-2006 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法.pdf

2024-9-23 01:37 上传 GBT 1557-2006 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法.pdf

文件大小:

431.43 KB

下载次数:

60

高速下载