[冶金] GBT 4061-2009 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法

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admin 发表于 2024-9-23 01:24 | 查看全部阅读模式

硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
Polycrystallinesilicon-examinationmethod-assessmentofsandwichesoncross-sectionbychemicalcorrosion

摘要:本标准规定了以三氯氢硅和四氯氢硅为原料在还原炉内用氢气还原出的硅多晶棒的断面夹层化学腐蚀检验方法。本标准关于断面夹层的检验适用于以三氯氢硅和四氯氢硅为原料,以细硅芯为发热体,在还原炉内用氢气还原沉积生长出来的硅多晶棒。

标准编号：GB/T4061-2009
标准类型：
发布单位：CN-GB
发布日期：2009年1月1日
强制性标准：否
实施日期：2010年1月1日
关键词：硅,腐蚀试验,晶体,半导体,检验,SILICON,SILICONE,CORROSIONTESTS,CRYSTALS,SEMICONDUCTORS,CHECKS,INSPECTION,EXAMINATIONS

GB/T 4061-2009 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法.pdf

2024-9-23 01:24 上传

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化学, 多晶, 断面, 夹层, 腐蚀

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