GBT 4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
ExtrinsicsemiconductorsinglecrystalsmeasurementofHallmobilityandHallcoefficient

摘要:本标准规定的测量方法适用于测量非本征半导体单晶材料的霍尔系数、载流子霍尔迁移率、电阻率和载流子浓度。本标准规定的测量方法仅在有限的范围内对锗、硅、砷化镓和磷化镓单晶材料进行了实验室测量，但该方法也可适用于其他半导体单晶材料，一般情况下，适用于室温电阻率高达10Ω•cm半导体单晶材料的测试。

标准编号：GB/T4326-2006
标准类型：
发布单位：CN-GB
发布日期：2006年1月1日
强制性标准：否
实施日期：2006年1月1日
关键词：测量,半导体,试样制备,非本征半导体单晶,霍尔迁移率,霍尔系数,测量仪器,MEASUREMENT,MEASURING,MEASUREMENTS,SEMICONDUCTORS,SPECIMENPREPARATION,SAMPLEPREPARATION,MEASURINGINSTRUMENTS,TESTINGMEASUREMENT

GB/T 4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法.pdf

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