GBT 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法

半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法
Testmethodsformeasuringresistivityofsemiconductorwafersorsheetresistanceofsemiconductorfilmswithanoncontacteddy-currentgauge

摘要:本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径或边长大于25mm、厚度为0.1mm-1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时，衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1000倍。硅片电阻率和薄膜薄层电阻测量范围分别为1.0*10Ω•cm-2*10Ω•cm和2*10Ω/□~3*10Ω/□。

标准编号：GB/T6616-2009
标准类型：
发布单位：CN-GB
发布日期：2009年1月1日
强制性标准：否
实施日期：2010年1月1日
关键词：电阻测量,半导体,电阻率,硅,半导体材料,电阻,晶体,RESISTANCEMEASUREMENT,SEMICONDUCTORS,ELECTRICALRESISTIVITY,RESISTIVITY,SILICON,SILICONE,SEMICONDUCTORMATERIALS,ELECTRICALRESISTANCE,RESISTANCE(ELECTRICAL)

GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法.pdf

2024-9-23 00:23 上传 GBT 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法.pdf

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