掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
Practiceforconversionbetweenresistivityanddopantdensityforboron-doped,phosphorus-doped,andarsenic-dopedsilicon
摘要:本标准规定了掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度之间的换算关系,该换算关系也适用于掺锑硅单晶,还可扩展至硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。本标准适用于掺硼浓度10cm~1×10cm,掺磷浓度3×10cm~1×10cm,掺砷浓度10cm~6×10cm。对掺硼、掺磷的硅单晶掺杂剂浓度可扩展到10cm。本标准也可用于在23℃下从硅单晶电阻率到载流子浓度的换算,但不包括对砷掺杂剂的载流子浓度换算,或任何其他载流子浓度的换算。
标准编号：GB/T13389-2014
标准类型：
发布单位：CN-GB
发布日期：2014年1月1日
强制性标准：否
实施日期：2015年1月1日
关键词：掺杂剂,电阻率,变换,磷,硅,规则,硼,晶体,DOPINGAGENTS,ELECTRICALRESISTIVITY,RESISTIVITY,CONVERSION,TRANSFORMATION,PHOSPHORUS,SILICON,SILICONE,RULES(INSTRUCTIONS),REGULATIONS,RULES,RULES(INSTRUCTIONS),RULES：INSTRUCTIONS,BORON,CRYSTALS
GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程.pdf
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