GBT 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法

硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法
Testmethodforsheetresistanceofsiliconepitaxial,diffusedandion-implantedlayersusingacollinearfour-probearray

摘要:本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2μm的薄层,方块电阻的测量范围为10Ω～5000Ω。该方法也可以适用于更高或更低阻值方块电阻的测量，但其测量精确度尚未评估。

标准编号：GB/T14141-2009
标准类型：
发布单位：CN-GB
发布日期：2009年1月1日
强制性标准：否
实施日期：2010年1月1日
关键词：硅,晶体,电阻测量,离子,外延层,半导体,SILICON,SILICONE,CRYSTALS,RESISTANCEMEASUREMENT,IONS,EPITAXIALLAYERS

GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法.pdf

2024-9-22 23:54 上传 GBT 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法.pdf

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