GBT 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法

硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
Testingmethodfordeterminationofradialinterstitialoxygenvariationinsilicon

摘要:本标准采用红外光谱法测定硅晶体中间隙氧含量径向的变化。本标准需要用到无氧参比样品和一套经过认证的用于校准设备的标准样品。本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω•cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω•cm的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。本标准测量氧含量的有效范围从1×10at•cm至硅晶体中间隙氧的最大固溶度。

标准编号：GB/T14144-2009
标准类型：
发布单位：CN-GB
发布日期：2009年1月1日
强制性标准：否
实施日期：2010年1月1日
关键词：硅,晶体,含量测定,间隙,氧,半导体,SILICON,SILICONE,CRYSTALS,CONTENTDETERMINATION,CONTENTDETERMINATIONS,DETERMINATIONOFCONTENT,CLEARANCES,BACKLASHES,CLEARANCE,OXYGEN

GB/T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法.pdf

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