GBT 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定.汞探针电容-电压法

硅外延层载流子浓度测定.汞探针电容-电压法
Siliconepitaxiallayers-determinationofcarrierconcentration-mercuryprobevoltages-capacitancemethod

摘要:本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容-电压测量方法。本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度测量。测量范围为：4×10cm～8×10cm。本标准测试的硅外延层的厚度必须大于测试偏压下耗尽的深度。本标准也适用于硅抛光片的载流子浓度测量。

标准编号：GB/T14146-2009
标准类型：
发布单位：CN-GB
发布日期：2009年1月1日
强制性标准：否
实施日期：2010年1月1日
关键词：硅,晶体,外延层,浓度,半导体,SILICON,SILICONE,CRYSTALS,EPITAXIALLAYERS,CONCENTRATION(COMPOSITION),SEMICONDUCTORS

GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定.汞探针电容-电压法.pdf

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