GBT 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
Testmethodforthicknessoflightlydopedsiliconepitaxiallayersonheavilydopedsiliconsubstratesbyinfraredreflectance

摘要:本标准规定重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。本标准适用于衬底在23℃电阻率小于0.02Ω·cm和外延层在23℃电阻率大于0.1Ω·cm且外延层厚度大于2μm的n型和p型硅外延层厚度的测量；在降低精度情况下，该方法原则上也适用于测试0.5μm～2μm之间的n型和p型外延层厚度。

标准编号：GB/T14847-2010
标准类型：
发布单位：CN-GB
发布日期：2011年1月1日
强制性标准：否
实施日期：2011年1月1日
关键词：测量,外延层,厚度,红外线辐射,衬底(绝缘),硅,MEASUREMENTS,MEASUREMENT,MEASURING,EPITAXIALLAYERS,THICKNESS,INFRAREDRADIATION,SUBSTRATES(INSULATING),SILICON,SILICONE

GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法.pdf

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