非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
TestmethodfordeeplevelEL2concentrationofundopedsemi-insulatingmonocrystalgalliumarsenidebymeasurementinfraredabsorptionmethod
摘要:本标准规定了非掺杂半绝缘砷化镓单晶及其晶片深能级EL2浓度红外吸收测试方法。本标准适用于电阻率大于10Ω·cm的非掺杂半绝缘砷化镓单晶及其晶片深能级EL2浓度的测定。本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓试样深能级EL2浓度测定。
标准编号：GB/T17170-1997
标准类型：CF
发布单位：CN-GB
发布日期：1997年1月1日
强制性标准：否
实施日期：1998年1月1日
关键词：红外线辐射,衬底(绝缘),试验,镓,砷化物,晶体,半导体,吸收测量法,absorptiometry,arsenides,semiconductors,examination,crystals,substrates(insulating),test,tests,gallium,infraredradiation,testing,trials
GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法.pdf
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