硅片局部平整度非接触式标准测试方法
Standardtestmethodsformeasuringsiteflatnessonsiliconwafersbynoncontactscanning
摘要:本标准规定了用电容位移传感法测定硅片表面局部平整度的方法。本标准适用非接触、非破坏性地测量干燥、净洁的半导体硅片表面的局部平整度。适用于直径100mm及以上、厚度250μm及以上的腐蚀、抛光及外延硅片。
标准编号：GB/T19922-2005
标准类型：
发布单位：CN-GB
发布日期：2005年1月1日
强制性标准：否
实施日期：2006年1月1日
关键词：半导体,半导体材料,测量,硅,试验,SEMICONDUCTORS,SEMICONDUCTORMATERIALS,MEASUREMENT,MEASURING,MEASUREMENTS,SILICONE,SILICON,EXAMINATION,TEST,TRIALS,TESTING,REFRACTORYPRODUCTS,DEPOSIT,CRUDEOILS,TESTS,bristles
GB/T 19922-2005 硅片局部平整度非接触式标准测试方法.pdf
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