GBT 24576-2009 高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法

高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
TestmethodformeasuringtheAlfractioninonAlGaAssubstratesbyhighresolutionX-raydiffraction

摘要:本标准规定了用高分辨X射线衍射测量GaAs衬底上AlGaAs外延层中Al含量的试验方法。本方法适用于在未掺杂GaAs衬底方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定，使用本方法测量Al元素含量时，AlGaAs外延层厚度应大于300nm。

标准编号：GB/T24576-2009
标准类型：
发布单位：CN-GB
发布日期：2009年1月1日
强制性标准：否
实施日期：2010年1月1日
关键词：硅,化学分析和试验,半导体,含量测定,SILICON,SILICONE,CHEMICALANALYSISANDTESTING,SEMICONDUCTORS,CONTENTDETERMINATION,CONTENTDETERMINATIONS,DETERMINATIONOFCONTENT

GB/T 24576-2009 高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法.pdf

2024-9-22 22:10 上传 GBT 24576-2009 高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法.pdf

文件大小:

863.8 KB

下载次数:

60

附件售价:

1 下载券 [赞助会员免费下载]

本地下载 立即购买