[冶金] GBT 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度EPD的测量方法

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admin 发表于 2024-9-22 21:52 | 查看全部阅读模式

低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
Testmethodformeasuringetchpitdensity(EPD)inlowdislocationdensitymonocrystallinegermaniumslices

摘要:本标准规定了低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。本标准适用于测试位错密度小于1000个/cm2、直径为75mm～150mm的圆形锗单晶片的位错腐蚀坑密度。

标准编号：GB/T34481-2017
标准类型：GB
发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
发布日期：2017年1月1日
强制性标准：否
实施日期：2018年1月1日
关键词：

GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法.pdf

2024-9-22 21:52 上传

GBT 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度EPD的测量方法.pdf

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