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SJT 10482-1994 半导体中深能级的瞬态电容.测试方法

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admin 发表于 2024-9-22 21:18 | 查看全部阅读模式

半导体中深能级的瞬态电容.测试方法
Testmethodforcharacterizingsemiconductordeeplevelsbytransientcapacitancetechniques

摘要:本标准规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱(DLTS)法测量半导体材料中深能级的测试方法。本标准适用于测量硅、砷化镓等半导体材料中杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。由此法可得到深能级的激活能、浓度、指数前因子A等参数。本标准适用于产生指数形式电容瞬态有关的深能级。

标准编号：SJ/T10482-1994
标准类型：
发布单位：CN-SJ
发布日期：1994年1月1日
强制性标准：否
实施日期：1994年1月1日
关键词：半导体,深能级,瞬态电容,测试方法

SJ/T 10482-1994 半导体中深能级的瞬态电容.测试方法.pdf

2024-9-22 21:18 上传

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半导体, 能级, 电容, 测试, 方法

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