我国单晶硅产品中元素含量分析测试进展

我国单晶硅产品中元素含量分析测试进展
摘要(Abstract):单晶硅是光伏及半导体行业研究的热点材料，主要用于制作半导体元器件。根据我国单晶硅产品中杂质元素的分类及含量要求，综述了各类杂质元素含量的测定方法，主要有二次离子质谱法(SIMS)、傅里叶红外光谱法(FT-IR)、辉光放电质谱法(GDMS)、X荧光光谱法(XRF)、电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)、中子活化(NAA)等。分析了各方法的适用范围、应用现状及优缺点。由于固体标准物质和标准样品的缺乏，限制了FT-IR及GDMS等方法的应用和发展。随着材料研发技术的进步，痕量元素分析用固体标准物质和标准样品的成功研制将助力分析检测技术的完善，能更好地满足我国单晶硅及其他材料的分析检测需求。

标题：我国单晶硅产品中元素含量分析测试进展
DOI:10.13822/j.cnki.hxsj.2024.0278

作者：胡芳菲;刘丽媛;刘红;刘智鹏;赵景鑫;杨复光;

关键词(KeyWords):单晶硅;;产品;;杂质元素;;分析测试;;进展

发表日期：2024年11月

2025-1-19 21:26 上传 我国单晶硅产品中元素含量分析测试进展.pdf

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