横截面为任意形状的表面开口缺陷的漏磁场

横截面为任意形状的表面开口缺陷的漏磁场
由磁荷分水岭概念分析了任意形状横截面表面开口缺陷所产生的漏磁场H，推得H∝(d-2kδ-2E)，其中d是缺陷的最大深度，k是比例系数，δ是缺陷横截面上磁荷分水岭沿缺陷深度方向的微小偏移，而E是取决于磁荷分水岭的常数。从而可得出下列结论，① 只有d和E很小时，或dW(W为缺陷长度)时，才近似有H∝d的关系。② 当dW时，可粗略估计H与d无关，而只取决于W。③ 无法从缺陷漏磁场的量值和分布反演出表面开口缺陷横截面的形状。

标题：横截面为任意形状的表面开口缺陷的漏磁场

作者：仲维畅,

关键词：横截面,开口缺陷,漏磁场,

发表日期：2006年12月

2025-1-19 11:58 上传 横截面为任意形状的表面开口缺陷的漏磁场.pdf

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