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MEMS器件湿法腐蚀工艺均匀性的提升技术

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admin 发表于 2024-12-14 14:31 | 查看全部 阅读模式

文档名:MEMS器件湿法腐蚀工艺均匀性的提升技术
摘要:针对湿法腐蚀工艺下晶圆面内均匀性大于5%、湿法工艺无法兼容低成本和高质量的难点,研究了湿法工艺各个参数对片内均匀性的影响.分别讨论了腐蚀槽温度、晶圆进出腐蚀槽时间、晶圆出腐蚀槽到进水槽的时间间隔以及腐蚀槽循环流量对8英寸晶圆腐蚀均匀性的影响.综合单一因素对比结果,确认了优化后8英寸MEMS电容式麦克风的湿法腐蚀工艺条件.优化后,晶圆片内均匀性可以由原来的6.17%提升到3.47%,突破了晶圆内大面积湿法腐蚀片内均匀性大于5%的难点.麦克风重要特征参数吸合电压良率也从原来的91%提升到99%,满足规模化大批量生产的要求,为后续器件性能提升提供了新的研究思路.

Abstract:Aimingatthedifficultiesthatthein-planeuniformityofwafersunderthewetetchingprocessisgreaterthan5%andthewetprocesscannotbecompatiblewithlowcostandhighquality,theinfluenceofeachparameterofthewetprocessonthein-planeuniformityisstudied.Theeffectsofetchingtanktemperature,waferinandoutoftheetchingtanktime,thetimeintervalbetweenthewaferoutoftheetchingtankandintothewatertank,andtheetchingtankcirculatingflowonthe8-inchwaferetchinguniformityarediscussedrespectively.Comprehensivesingle-factorcomparisonresultsconfirmtheoptimizedwetetchingprocessconditionsfor8-inchMEMScondensermicrophones.Afteroptimization,thewaferintra-chipuniformitycanbeimprovedfromtheoriginal6.17%to3.47%,breakingthroughthelargeareawithinthewaferwetcorrosionintra-chipuniformitygreaterthan5%ofthedifficulty.Theimportantcharacteristicparameterofthemicrophone,theyieldofthesuctionvoltage,hasalsobeenincreasedfromtheoriginal91%to99%,meetingtherequirementsoflarge-scaleproductionandprovidingnewresearchideasforimprovingtheperformanceofsubsequentdevices.

作者:闾新明  姚阳文Author:LYUXinming  YAOYangwen
作者单位:芯联集成电路制造股份有限公司,浙江绍兴312000
刊名:电子工艺技术
Journal:ElectronicsProcessTechnology
年,卷(期):2024, 45(3)
分类号:TN305
关键词:麦克风  腐蚀均匀性  温度  时间  流量  
Keywords:microphone  etchuniformity  temperature  time  flow  
机标分类号:TP273TN402TN304.055
在线出版日期:2024年7月8日
基金项目:MEMS器件湿法腐蚀工艺均匀性的提升技术[
期刊论文]  电子工艺技术--2024, 45(3)闾新明  姚阳文针对湿法腐蚀工艺下晶圆面内均匀性大于5%、湿法工艺无法兼容低成本和高质量的难点,研究了湿法工艺各个参数对片内均匀性的影响.分别讨论了腐蚀槽温度、晶圆进出腐蚀槽时间、晶圆出腐蚀槽到进水槽的时间间隔以及腐蚀槽循环...参考文献和引证文献
参考文献
引证文献
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