文档名：MOS气体传感器的制作及对芥子气的响应研究
摘要：为了提高金属氧化物半导体(MOS)气体传感器测试芥子气(HD)的性能,采用水热法制备了氧化锡(SnO2)、三氧化二铟(In2O3)、三氧化钨(WO3)及其修饰改性的金属氧化物半导体气敏材料,利用光刻剥离工艺、电流体微喷工艺以及金丝球焊技术制作了16阵列气体传感器.搭建传感器测试平台,采用温度调制模式优化检测数据的采集,测试了32种材料对芥子气的响应信号,进而对材料进行有针对性的筛选,对未来实现低体积分数典型化学毒剂的快速响应、高效识别具有较大的现实意义.
作者：杨姝 高适 王学峰 张顺平 Author：YANGShu GAOShi WANGXuefeng ZHANGShunping
作者单位：陆军防化学院履约技术中心,北京102205华中科技大学材料科学与工程学院材料成型与模具国家重点实验室,湖北武汉430074
刊名：传感器与微系统 ISTICPKU
Journal：TransducerandMicrosystemTechnologies
年，卷(期)：2023, 42(8)
分类号：TP212X83
关键词：金属氧化物半导体 气体传感器 芥子气 响应
Keywords：metaloxidesemiconductor(MOS) gassensor HD response
机标分类号：O439TP216TN386.1
在线出版日期：2023年8月25日
基金项目：MOS气体传感器的制作及对芥子气的响应研究[
期刊论文] 传感器与微系统--2023, 42(8)杨姝 高适 王学峰 张顺平为了提高金属氧化物半导体(MOS)气体传感器测试芥子气(HD)的性能,采用水热法制备了氧化锡(SnO2)、三氧化二铟(In2O3)、三氧化钨(WO3)及其修饰改性的金属氧化物半导体气敏材料,利用光刻剥离工艺、电流体微喷工艺以及金丝球焊...参考文献和引证文献
参考文献
引证文献
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