文档名：SiC MOSFET栅极氧化层缺陷检测
摘要：SiC以其耐高压,高频,高温和高功率密度的材料特性,广泛应用于高效电能转换领域.而其栅氧化层可靠性是评价器件可靠性的重要部分.本文根据SICMOSFET结构特性和栅氧化层缺陷的形成机理,对一批应力筛选实验失效的样品进行研究,提出了一种针对SIC-MOSFET的栅氧化层缺陷检测方法.方法使用了正面和背面失效EMMI定位了相同缺陷位置,同时利用聚焦离子束分析等方法找到了栅氧化层物理损伤点,对碳化硅晶圆级别异物缺陷完成了成分分析,验证了晶圆级栅极氧化层异物缺陷对于栅氧化层质量和可靠性的影响,对于SiCMOSFET的早期失效研究有着重要的参考作用.
Abstract：SiliconcarbideMOSFETsarebecominganincreasinglyviablealternativetoconventionalsilicontechnologies.AlthoughSiCMOSFETsarenowcommerciallyavailable,thesedevicesstillsufferfromthelowyieldrateandreliabilityissue.TheseissueshavebeenattributedtoalargedensityofgateoxideandactivedefectsintheSiO2-SiCinterfacialregion.TheelectricalcharacteristicsofSiCMOSFETarestronglyinfluencedbythesedefectsbecausetheyaffectthephysicalandelectricalpropertiesofthegateoxideinterface.Inthispaper,thefailuremechanismofthegatedoxidedefectunderdifferentparticlelocationswithacommercialSiCpowerMOSFETdevicewasanalyzed.Frontsidefaultisolationandbacksidefaultisolationmethodwasproposed.Basedontheseresult,asuspectedhypothesisoffaultisolationmethodbyelectricaltestwaspresented.ThemainfailuremechanismofgatedoxidedefectinSiCMOSFETthroughcaseanalysiswasrevealed,whichhasanimportantroleinimprovingtheefficiencyoffailureanalysis.
作者：龚瑜 黄彩清Author：GONGYu HUANGCaiqing
作者单位：深圳赛意法微电子有限公司,广东深圳518038
刊名：电子显微学报 ISTICPKU
Journal：JournalofChineseElectronMicroscopySociety
年，卷(期)：2024, 43(2)
分类号：TN385TN305TG115.21+5.3
关键词：碳化硅 晶圆缺陷 栅氧化层缺陷 高温栅偏实验
Keywords：siliconcarbide waferdefect gateoxidedefect HTGB
机标分类号：TN386TN406TM766
在线出版日期：2024年5月21日
基金项目：国家高技术研究发展计划（863计划）SiCMOSFET栅极氧化层缺陷检测[
期刊论文] 电子显微学报--2024, 43(2)龚瑜 黄彩清SiC以其耐高压,高频,高温和高功率密度的材料特性,广泛应用于高效电能转换领域.而其栅氧化层可靠性是评价器件可靠性的重要部分.本文根据SICMOSFET结构特性和栅氧化层缺陷的形成机理,对一批应力筛选实验失效的样品进行...参考文献和引证文献
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