文档名：SiC微粒辅助掩膜电解加工金属微孔阵列结构的研究
摘要：针对掩膜电解加工(TMECM)金属微孔阵列结构存在定域性差、微孔孔径的加工精度及刻蚀深度难以满足要求的问题,提出了SiC微粒辅助掩膜电解加工(PA-TMECM)的方法.研究了SiC微粒直径、质量浓度及电解液流量对304不锈钢表面微孔阵列结构加工效果的影响,探讨了微粒辅助掩膜电解加工的作用机制.实验结果表明:当SiC微粒质量浓度为6g/L、直径为40μm、电解液流量为3000mL/min时,加工定域性最佳,蚀刻因子为3.52.在微粒辅助掩膜电解加工过程中,微粒通过持续、高频的冲击作用有效去除了阳极表面的电解产物,增大了微孔刻蚀深度,限制了侧向刻蚀,最终提高了掩膜电解加工的定域性.
作者：杜立群 郑昆明 于明新 程浩浩 王舒萱 Author：DULiqun ZHENGKunming YUMingxin CHENGHaohao WANGShuxuan
作者单位：大连理工大学,高性能精密制造全国重点实验室,辽宁大连116024;大连理工大学,辽宁省微纳米及系统重点实验室,辽宁大连116024大连理工大学,辽宁省微纳米及系统重点实验室,辽宁大连116024
刊名：电镀与涂饰 ISTICPKU
Journal：Electroplating&Finishing
年，卷(期)：2023, 42(7)
分类号：TG175
关键词：奥氏体不锈钢 掩膜电解加工 碳化硅微粒 微孔阵列结构 定域性 蚀刻因子
机标分类号：TG142.71TG662TM912.9
在线出版日期：2023年4月28日
基金项目：国家自然科学基金SiC微粒辅助掩膜电解加工金属微孔阵列结构的研究[
期刊论文] 电镀与涂饰--2023, 42(7)杜立群 郑昆明 于明新 程浩浩 王舒萱针对掩膜电解加工(TMECM)金属微孔阵列结构存在定域性差、微孔孔径的加工精度及刻蚀深度难以满足要求的问题,提出了SiC微粒辅助掩膜电解加工(PA-TMECM)的方法.研究了SiC微粒直径、质量浓度及电解液流量对304不锈钢表面微孔...参考文献和引证文献
参考文献
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