文档名：A向蓝宝石晶片化学机械抛光研究
摘要：采用正交试验和单因素实验,研究了磨粒种类(包括SiO2、Al2O3和CeO2)和抛光工艺参数(包括抛光压力、抛光盘转速和抛光液流量)对A向蓝宝石(11(2)0)化学机械抛光(CMP)效果的影响.通过超精密分析天平计算材料去除率,原子力显微镜观察抛光表面形貌.结果表明:在A向蓝宝石晶片CMP抛光过程中,胶体SiO2磨粒比Al2O3和CeO2磨粒的抛光效果好.抛光工艺参数对A向蓝宝石材料去除率的影响程度主次顺序为抛光压力、抛光盘转速和抛光液流量.当抛光压力为14.5kPa,抛光盘转速为80r/min,抛光液流量为90mL/min时,A向蓝宝石晶片抛光效果最优,材料去除率达到2366nm/h,表面粗糙度(Ra)为0.80nm左右.
作者：陈国美 陈凤 倪自丰 白亚雯 Author：CHENGuomei CHENFeng NIZifeng BAIYawen
作者单位：无锡商业职业技术学院智能装备与汽车工程学院,江苏无锡214153江南大学机械工程学院,江苏无锡214122无锡太湖学院江苏省物联网应用技术重点建设实验室,江苏无锡214064
刊名：电镀与涂饰 ISTICPKU
Journal：Electroplating&Finishing
年，卷(期)：2023, 42(17)
分类号：TN305
关键词：蓝宝石晶片 化学机械抛光 磨粒 正交试验 材料去除率 表面粗糙度
Keywords：sapphirewafer chemicalmechanicalpolishing abrasiveparticle orthogonaltest materialremovalrate surfaceroughness
机标分类号：TH117.1TN305.2TG74
在线出版日期：2023年10月9日
基金项目：国家自然科学基金，国家自然科学基金，江苏省高校自然科学研究项目，江苏省高校青蓝工程，无锡商业职业技术学院超精密加工与智能制造科研创新团队，无锡商业职业技术学院智能制造与服务协同创新中心科研平台，无锡商业职业技术学院机器视觉工程技术中心科研平台，无锡市软课题项目A向蓝宝石晶片化学机械抛光研究[
期刊论文] 电镀与涂饰--2023, 42(17)陈国美 陈凤 倪自丰 白亚雯采用正交试验和单因素实验,研究了磨粒种类(包括SiO2、Al2O3和CeO2)和抛光工艺参数(包括抛光压力、抛光盘转速和抛光液流量)对A向蓝宝石(11(2)0)化学机械抛光(CMP)效果的影响.通过超精密分析天平计算材料去除率,原子力显...参考文献和引证文献
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