文档名：ZnO NW栅极GaN HEMT紫外光探测性能
摘要：本文实验采用水热生长法,成功制备了以ZnO纳米线为光感应栅极的高电子迁移率晶体管HEMT(HighElec-tronMobilityTransistor)器件.对HEMT进行源漏(S/D)下刻蚀,刻蚀深度为120/150nm,探究不同S/D刻蚀深度对器件性能的影响.同时,利用磁控溅射法在栅电极沉积ZnO晶籽层,在80℃温度下控制水热生长时间分别为6/8/10h,探究不同水热生长时间对ZnO纳米线表面形貌以及HEMT紫外探测性能的影响.结果表明,相较于常规结构器件,ZnO纳米线栅极器件在350～450nm波长范围内具有更高的光吸收率.同样的水热生长时间下,刻蚀深度为150nm时源漏饱和电流相较于120nm器件较小,但黑暗/紫外光照下的饱和电流差值更大,最大达到了8mA,对紫外光表现出更高的探测效率.水热生长时间控制为6h时纳米线生长形貌良好,且在该生长时间下刻蚀深度为150nm时,器件光响应/恢复时间达到了最小值,分别为0.0057s、2.128s.
作者：朱彦旭 谭张杨 王晓冬 Author：ZHUYan-xu TANZhang-yang WANGXiao-dong
作者单位：北京工业大学光电子技术教育部重点实验室,北京100124中国人民警察大学警务装备技术学院,河北廊坊102308
刊名：电子学报 ISTICEIPKU
Journal：ActaElectronicaSinica
年，卷(期)：2023, 51(9)
分类号：TN23
关键词：高电子迁移率晶体管 ZnO纳米线 紫外探测 光响应
Keywords：highelectronmobilitytransistor ZnOnanowires UVdetection lightresponse
机标分类号：TN304.2O4TN23
在线出版日期：2023年12月26日
基金项目：ZnONW栅极GaNHEMT紫外光探测性能[
期刊论文] 电子学报--2023, 51(9)朱彦旭 谭张杨 王晓冬本文实验采用水热生长法,成功制备了以ZnO纳米线为光感应栅极的高电子迁移率晶体管HEMT(HighElec-tronMobilityTransistor)器件.对HEMT进行源漏(S/D)下刻蚀,刻蚀深度为120/150nm,探究不同S/D刻蚀深度对器件性能的影...参考文献和引证文献
参考文献
引证文献
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