文档名：封闭条件下温度对气隙放电影响的模拟研究
摘要：气隙缺陷往往导致局部放电(PD)现象,局放的发展过程与放电条件密切相关,通过放电的宏观表征来分析判断放电条件,是实现绝缘条件评估的重要途径.以温度对气隙缺陷下局放过程的影响为例,通过建立温度条件对放电过程的参数控制模型,研究了不同温度对其微观发展过程的影响,得到了不同温度条件下的宏观表征.仿真研究表明,在封闭条件下,温度的升高会影响放电过程中的电子密度分布以及电场分布.在303、323和343K的条件下模拟放电过程,其电流峰值依次为0.479、0.356和0.261A,随温度升高逐渐下降;此外其电流脉冲持续时间依次为19.261、15.516和13.438ns,随温度升高逐渐变短.最后,实地测量了不同温度下的放电电流,获得了与仿真模型一致的结果.
作者：郑全福 张钊棋 罗林根 盛戈皞 江秀臣Author：ZHENGQuanfu ZHANGZhaoqi LUOLingen SHENGGehao JIANGXiuchen
作者单位：上海交通大学电气工程系,上海200240
刊名：电机与控制学报
Journal：ElectricMachinesandControl
年，卷(期)：2024, 28(2)
分类号：TM835
关键词：局部放电 温度 流体模型 放电电流 气隙缺陷 参数控制
Keywords：partialdischarge temperature fluidmodel dischargecurrent voiddefects parametercontrol
机标分类号：TM213TM855O433
在线出版日期：2024年4月12日
基金项目：国家重点研发计划封闭条件下温度对气隙放电影响的模拟研究[
期刊论文] 电机与控制学报--2024, 28(2)郑全福 张钊棋 罗林根 盛戈皞 江秀臣气隙缺陷往往导致局部放电(PD)现象,局放的发展过程与放电条件密切相关,通过放电的宏观表征来分析判断放电条件,是实现绝缘条件评估的重要途径.以温度对气隙缺陷下局放过程的影响为例,通过建立温度条件对放电过程的参数...参考文献和引证文献
参考文献
引证文献
本文读者也读过
相似文献
相关博文
封闭条件下温度对气隙放电影响的模拟研究 Simulation study on effect of temperature on partial discharge inside void defects under closed conditions
封闭条件下温度对气隙放电影响的模拟研究.pdf
- 文件大小:
- 3.02 MB
- 下载次数:
- 60
-
高速下载
|
|
