文档名：高密度电容器件的制备及其可靠性
摘要：介绍了一种基于微机械加工技术(MicroElectronMechanicalSystem,MEMS)的硅基高密度电容芯片的制备方法.该电容芯片采用了深孔刻蚀、介质淀积生长以及原位掺杂多晶硅等工艺技术,实现了高击穿电压(50V@1μA)、高电容密度(38.8～39.5nF/mm2)的电容芯片制备.
Abstract：Amanufacturingtechnologyofhighcapacitancedensitycapacitorbasedonmicro-electron-mechanicalsystemtechnologyisintroduced.Thedeeptrenchetching,dielectricdepositingandin-situdopedpolysilicontechnologiesareapplied,andthecapacitorchipwithhighbreakdownvoltage(50V@1μAleakagecurrent)andhighcapacitancedensity(38.8～39.5nF/mm2)isachieved.
作者：商庆杰 王敬轩 董春晖 宋洁晶 杨志Author：SHANGQingjie WANGJingxuan DONGChunhui SONGJiejing YANGZhi
作者单位：中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050000
刊名：电子工艺技术
Journal：ElectronicsProcessTechnology
年，卷(期)：2024, 45(3)
分类号：TN304
关键词：微系统芯片 高密度电容 深孔刻蚀 原位掺杂多晶硅
Keywords：microsystemchips highcapacitancedensitycapacitor deeptrenchetching in-situdopedpolysilicon
机标分类号：TM53TM714.3TN212
在线出版日期：2024年7月8日
基金项目：高密度电容器件的制备及其可靠性[
期刊论文] 电子工艺技术--2024, 45(3)商庆杰 王敬轩 董春晖 宋洁晶 杨志介绍了一种基于微机械加工技术(MicroElectronMechanicalSystem,MEMS)的硅基高密度电容芯片的制备方法.该电容芯片采用了深孔刻蚀、介质淀积生长以及原位掺杂多晶硅等工艺技术,实现了高击穿电压(50V@1μA)、高电容密度...参考文献和引证文献
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