文档名：氮极性AlGaN基隧道结深紫外LED
摘要：针对AlGaN(AluminumGalliumNitride)基深紫外LED(LightEmittingDiode)发光效率低、工作偏压较大的问题,设计了一种带有n+-GaN/Al0.4Ga0.6N/p+-GaN隧道结的氮极性AlGaN基深紫外LED器件结构.该结构由n-Al0.65Ga0.35N电子提供层、Al0.65Ga0.35N/Al0.5Ga0.5N多量子阱、组分渐变p-AlxGa1-xN和n+-GaN/Al0.4Ga0.6N/p+-GaN隧道结构成.研究结果表明,相比于无隧道结的参考LED,隧道结LED具有更高的内量子效率和光输出功率,同时其具有更低的开启电压.隧道结LED光电特性的改善,归因于隧道结的引入提升了LED的空穴注入效率,提高了LED器件的电流扩展能力.通过模拟软件对半导体器件载流子输运、光电特性的模拟,有助于加深对半导体器件物理特性的理解.若在"半导体器件物理"学习课程加入对半导体器件模拟软件的学习,能有效提升学生对半导体器件物理知识的理解和探索.
Abstract：AimingattheproblemsoflowluminousefficiencyandlargeworkingbiasofAlGaN-baseddeep-UV(Ultraviolet)LEDs(LightEmittingDiodes),anitrogen-polarAlGaN-baseddeep-UVLEDdevicestructurewithn+-GaN/Al0.4Ga0.6N/p+-GaNtunneljunctionisdesigned.TheLEDstructureisconsistofanelectronsupplyinglayern-Al0.65Ga0.35N,amultiplequantumwellsofAl0.65Ga0.35N/Al0.5Ga0.5N,acompositionallygradedp-AlxGa1-xN,andan+-GaN/Al0.4Ga0.6N/p+-GaNtunneljunction.ThesimulationresultsshowthatthetunneljunctionLEDhashigherinternalquantumefficiencyandlightoutputpower,andithasalowerturn-onvoltagethanthereferenceLEDwithouttunneljunction.TheimprovementoftheoptoelectroniccharacteristicsofthetunneljunctionLEDisattributedtotheintroductionofthetunneljunctionimprovingtheholeinjectionefficiencyoftheLED,andimprovingthecurrentspreadingcapabilityoftheLEDdevice.Theresultsofthisworkshowthatthesimulationofcarriertransportandoptoelectroniccharacteristicsofsemiconductordevicesthroughsimulationsoftwareishelpfuldeepeningtheunderstandingofthephysicalcharacteristicsofsemiconductordevices.Ifthestudyofsemiconductordevicesimulationsoftwareisaddedtothelearningprocessof"semiconductordevicephysics",itwillhelpthecultivationoftalentsinthesemiconductorfield.
作者：张源涛 邓高强 孙瑜Author：ZHANGYuantao DENGGaoqiang SUNYu
作者单位：吉林大学电子科学与工程学院,长春130012
刊名：吉林大学学报（信息科学版） ISTIC
Journal：JournalofJilinUniversity(InformationScienceEdition)
年，卷(期)：2023, 41(5)
分类号：TN312
关键词：深紫外LED 隧道结 铝镓氮 氮化物半导体
Keywords：deepultravioletlightemittingdiodes(LED) tunneljunction aluminumgalliumnitride(AlGaN) nitridesemiconductor
机标分类号：TN312.8O484.4TN248
在线出版日期：2023年12月27日
基金项目：国家自然科学基金，国家自然科学基金，国家自然科学基金，国家重点研发计划，国家重点研发计划，国家重点研发计划，吉林大学研究生教育教学改革研究基金资助项目，吉林大学本科教学改革研究基金资助项目，吉林省高等教育教学改革立项课题基金资助项目，吉林省科技发展计划基金资助项目，吉林省科技发展计划基金资助项目氮极性AlGaN基隧道结深紫外LED[
期刊论文] 吉林大学学报（信息科学版）--2023, 41(5)张源涛 邓高强 孙瑜针对AlGaN(AluminumGalliumNitride)基深紫外LED(LightEmittingDiode)发光效率低、工作偏压较大的问题,设计了一种带有n+-GaN/Al0.4Ga0.6N/p+-GaN隧道结的氮极性AlGaN基深紫外LED器件结构.该结构由n-Al0.65Ga0.35...参考文献和引证文献
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