文档名：低功耗宽带低噪声放大器的设计
摘要：分析低噪声放大器的设计原理,采用两级电流复用负反馈结构,基于砷化镓(GalliumArsenide,GaAs)工艺,利用先进设计系统(AdvancedDesignSystem,ADS)软件仿真设计了一款低功耗宽带低噪声放大器芯片,该芯片尺寸仅为1.5mm×?0.9mm×0.1mm.通过对芯片性能进行测试,在频带6～12GHz内,其增益约为23dB,噪声系数≤1.1dB,端口回波损耗≥12dB,输出功率1dB压缩点P-1≥10dBm,+5V电源端口工作电流为17mA.
作者：张斌 汪柏康 张沁枫 孙文俊 秦战明Author：ZHANGBin WANGBaikang ZHANGQinfeng SUNWenjun QINZhanming
作者单位：中国电子科技集团第五十八研究所,江苏无锡214035
刊名：电声技术 ISTIC
Journal：AudioEngineering
年，卷(期)：2023, 47(1)
分类号：TN72
关键词：低噪声放大器 宽带 砷化镓(GaAs) 先进设计系统(ADS) 低功耗
机标分类号：TN722.3TN911.22TP393
在线出版日期：2023年5月17日
基金项目：低功耗宽带低噪声放大器的设计[
期刊论文] 电声技术--2023, 47(1)张斌 汪柏康 张沁枫 孙文俊 秦战明分析低噪声放大器的设计原理,采用两级电流复用负反馈结构,基于砷化镓(GalliumArsenide,GaAs)工艺,利用先进设计系统(AdvancedDesignSystem,ADS)软件仿真设计了一款低功耗宽带低噪声放大器芯片,该芯片尺寸仅为1.5mm...参考文献和引证文献
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