返回列表 发布新帖

低光能触发的砷化镓光导开关导通机理

8 0
admin 发表于 2024-12-14 13:15 | 查看全部 阅读模式

文档名:低光能触发的砷化镓光导开关导通机理
摘要:该文建立了砷化镓(GaAs)光导开关(PCSS)的一维器件仿真模型,研究了低光能触发条件下电流通道内关键物理参数的瞬态变化过程,提出了GaAsPCSS的多雪崩电离畴物理模型,能够自洽地解释低光能触发、超快速导通和电压锁定等开关特征.GaAsPCSS受12W、905nm脉冲激光触发后,电流通道内产生多个高场强(200~600kV/cm)雪崩电离畴,雪崩电离畴随等离子体浓度的提高而发展、湮灭,导致开关延迟3.0ns后在147ps内超快速导通.开关导通后,电流通道内仍存在少量雪崩电离畴,使开关导通后电压锁定.雪崩电离畴运动导致GaAsPCSS工作时出现ps级电流振荡现象,分析了振荡信号产生的物理原因.同时,开展了低光能触发条件下GaAsPCSS雪崩导通实验研究.结果表明,当采用50?固态脉冲形成线、4mm间距异面结构、PCSS工作电压为17.5kV时,负载输出脉冲峰值功率达MW级,脉冲上升时间约为620ps,最高重频达到20kHz.

作者:徐守利   刘京亮   胡龙   倪涛   许春良 Author:XuShouli   LiuJingliang   HuLong   NiTao   XuChunliang
作者单位:中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050050西安交通大学电子科学与工程学院西安710049
刊名:电工技术学报 ISTICEIPKU
Journal:TransactionsofChinaElectrotechnicalSociety
年,卷(期):2023, 38(22)
分类号:TM89
关键词:脉冲功率  光导开关  雪崩电离畴  低光能触发  亚纳秒  
Keywords:Pulsedpower  photoconductivesemiconductorswitch(PCSS)  avalanchedomain  low-energytriggering  sub-nanosecond  
机标分类号:TN36TM834TM564
在线出版日期:2023年11月28日
基金项目:国家自然科学基金,国家重点实验室开放基金低光能触发的砷化镓光导开关导通机理[
期刊论文]  电工技术学报--2023, 38(22)徐守利  刘京亮  胡龙  倪涛  许春良该文建立了砷化镓(GaAs)光导开关(PCSS)的一维器件仿真模型,研究了低光能触发条件下电流通道内关键物理参数的瞬态变化过程,提出了GaAsPCSS的多雪崩电离畴物理模型,能够自洽地解释低光能触发、超快速导通和电压锁定等开...参考文献和引证文献
参考文献
引证文献
本文读者也读过
相似文献
相关博文

        低光能触发的砷化镓光导开关导通机理  Operating Mechanism of Low-Energy-Triggered Gallium Arsenide Photoconductive Semiconductor Switch

低光能触发的砷化镓光导开关导通机理.pdf
2024-12-14 13:15 上传
文件大小:
2.07 MB
下载次数:
60
高速下载
【温馨提示】 您好!以下是下载说明,请您仔细阅读:
1、推荐使用360安全浏览器访问本站,选择您所需的PDF文档,点击页面下方“本地下载”按钮。
2、耐心等待两秒钟,系统将自动开始下载,本站文件均为高速下载。
3、下载完成后,请查看您浏览器的下载文件夹,找到对应的PDF文件。
4、使用PDF阅读器打开文档,开始阅读学习。
5、使用过程中遇到问题,请联系QQ客服。

本站提供的所有PDF文档、软件、资料等均为网友上传或网络收集,仅供学习和研究使用,不得用于任何商业用途。
本站尊重知识产权,若本站内容侵犯了您的权益,请及时通知我们,我们将尽快予以删除。
  • 手机访问
    微信扫一扫
  • 联系QQ客服
    QQ扫一扫
2022-2025 新资汇 - 参考资料免费下载网站 最近更新浙ICP备2024084428号
关灯 返回顶部
快速回复 返回顶部 返回列表