文档名：低光能触发的砷化镓光导开关导通机理
摘要：该文建立了砷化镓(GaAs)光导开关(PCSS)的一维器件仿真模型,研究了低光能触发条件下电流通道内关键物理参数的瞬态变化过程,提出了GaAsPCSS的多雪崩电离畴物理模型,能够自洽地解释低光能触发、超快速导通和电压锁定等开关特征.GaAsPCSS受12W、905nm脉冲激光触发后,电流通道内产生多个高场强(200～600kV/cm)雪崩电离畴,雪崩电离畴随等离子体浓度的提高而发展、湮灭,导致开关延迟3.0ns后在147ps内超快速导通.开关导通后,电流通道内仍存在少量雪崩电离畴,使开关导通后电压锁定.雪崩电离畴运动导致GaAsPCSS工作时出现ps级电流振荡现象,分析了振荡信号产生的物理原因.同时,开展了低光能触发条件下GaAsPCSS雪崩导通实验研究.结果表明,当采用50?固态脉冲形成线、4mm间距异面结构、PCSS工作电压为17.5kV时,负载输出脉冲峰值功率达MW级,脉冲上升时间约为620ps,最高重频达到20kHz.
作者：徐守利 刘京亮 胡龙 倪涛 许春良 Author：XuShouli LiuJingliang HuLong NiTao XuChunliang
作者单位：中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050050西安交通大学电子科学与工程学院西安710049
刊名：电工技术学报 ISTICEIPKU
Journal：TransactionsofChinaElectrotechnicalSociety
年，卷(期)：2023, 38(22)
分类号：TM89
关键词：脉冲功率 光导开关 雪崩电离畴 低光能触发 亚纳秒
Keywords：Pulsedpower photoconductivesemiconductorswitch(PCSS) avalanchedomain low-energytriggering sub-nanosecond
机标分类号：TN36TM834TM564
在线出版日期：2023年11月28日
基金项目：国家自然科学基金，国家重点实验室开放基金低光能触发的砷化镓光导开关导通机理[
期刊论文] 电工技术学报--2023, 38(22)徐守利 刘京亮 胡龙 倪涛 许春良该文建立了砷化镓(GaAs)光导开关(PCSS)的一维器件仿真模型,研究了低光能触发条件下电流通道内关键物理参数的瞬态变化过程,提出了GaAsPCSS的多雪崩电离畴物理模型,能够自洽地解释低光能触发、超快速导通和电压锁定等开...参考文献和引证文献
参考文献
引证文献
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