文档名：电压自平衡碳化硅MOSFET间接串联功率模块
摘要：目前,常见商用宽禁带碳化硅金属-氧化物场效应晶体管(SiCMOSFETs)的阻断电压不超过1.7kV,为提高其等效耐压等级,提出一种二极管-电容混合钳位的间接串联拓扑和准两电平开环调制方法,可实现拓扑中串联器件的电压自动均衡.基于此,该文利用SiCMOSFET裸芯片封装制作了一个3.6kV/20A的间接串联功率模块,并设计出与之配套的驱动保护电路,整体等效为通用中压、两电平功率模块,具有体积小、集成度高的优点.最后通过实验验证了该模块的通用性,以及其在开关损耗和经济性等方面的优势.
作者：刘基业 郑泽东 李驰 王奎 李永东Author：LiuJiye ZhengZedong LiChi WangKui LiYongdong
作者单位：电力系统及发电设备控制和仿真国家重点实验室(清华大学)北京100084
刊名：电工技术学报 ISTICEIPKU
Journal：TransactionsofChinaElectrotechnicalSociety
年，卷(期)：2023, 38(7)
分类号：TN386.1
关键词：碳化硅MOSFET 间接串联 电压自平衡 中压功率模块
机标分类号：TN386TM464TM933.31
在线出版日期：2023年4月19日
基金项目：国家自然科学基金，船舶综合电力技术重点实验室资助项目电压自平衡碳化硅MOSFET间接串联功率模块[
期刊论文] 电工技术学报--2023, 38(7)刘基业 郑泽东 李驰 王奎 李永东目前,常见商用宽禁带碳化硅金属-氧化物场效应晶体管(SiCMOSFETs)的阻断电压不超过1.7kV,为提高其等效耐压等级,提出一种二极管-电容混合钳位的间接串联拓扑和准两电平开环调制方法,可实现拓扑中串联器件的电压自动均衡...参考文献和引证文献
参考文献
引证文献
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