文档名：基于GaAs工艺的片上宽带功率分配器
摘要：提出了一种基于砷化镓-集成无源器件(GaAs-IPD)工艺的宽带3dB功率分配器.使用多节级联以及集总参数等效的方法,实现了宽带小型化设计;使用RC串联隔离网络实现宽带内的高隔离性能.对提出的功分器进行了理论分析,并以20GHz为中心频率完成设计,电路尺寸为0.04λ0×0.053λ0,λ0为中心频率处的自由空间波长.经过测试,其相对工作带宽为80％,带内插损0.7dB,端口隔离高于20dB.测试结果与仿真结果保持了良好的一致性.
Abstract：Abroadband3dBpowerdividerbasedonGaAs-IPDprocessisproposed.Awidebandminiaturizeddesignisachievedusingmulti-sectioncascadingandaggregateparameterequivalencemethod.HighisolationperformancewithinthewidebandisachievedusinganRCseriesisolationnetwork.Theproposedpowerdivideristheoreticallyanalyzedandthedesigniscompletedwithacentrefrequencyof20GHzandacircuitsizeof0.04λ0×0.053λ0,withλ0beingthefree-spacewavelengthatthecenterfrequency.Aftertesting,therelativeoperatingbandwidthis80％,thein-bandinsertionlossis0.7dBandtheportisolationishigherthan20dB.Testresultsmaintaingoodagreementwiththesimulationresults.
作者：李辰辰 高一强 孙晓玮 钱蓉 周健 杨明辉 Author：LIChenchen GAOYiqiang SUNXiaowei QIANRong ZHOUJian YANGMinghui
作者单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术重点实验室,上海200050;中国科学院大学,北京100049杭州电子科技大学电子信息学院,浙江杭州310018中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术重点实验室,上海200050
刊名：传感器与微系统
Journal：TransducerandMicrosystemTechnologies
年，卷(期)：2024, 43(1)
分类号：TN626
关键词：功率分配器 砷化镓工艺 宽带 集成无源器件
Keywords：powerdivider GaAsprocess broadband integratedpassivedevice(IPD)
机标分类号：
在线出版日期：2024年1月17日
基金项目：国家自然科学基金基于GaAs工艺的片上宽带功率分配器[
期刊论文] 传感器与微系统--2024, 43(1)李辰辰 高一强 孙晓玮 钱蓉 周健 杨明辉提出了一种基于砷化镓-集成无源器件(GaAs-IPD)工艺的宽带3dB功率分配器.使用多节级联以及集总参数等效的方法,实现了宽带小型化设计;使用RC串联隔离网络实现宽带内的高隔离性能.对提出的功分器进行了理论分析,并以20G...参考文献和引证文献
参考文献
引证文献
本文读者也读过
相似文献
相关博文
基于GaAs工艺的片上宽带功率分配器 On-chip broadband power divider based on GaAs process
基于GaAs工艺的片上宽带功率分配器.pdf
- 文件大小:
- 9.51 MB
- 下载次数:
- 60
-
高速下载
|
|
