文档名：基于MEMS工艺的平行激励磁通门原理及仿真设计
摘要：介绍了一种平行激励MEMS磁通门的原理,并通过COMSOL多物理场仿真软件对其进行建模计及仿真分析,分别考察激励电流、被测磁场以及被测磁场频率对磁通门感应电压的影响.结果表明,感应电压二次谐波幅值随被测磁场的增高近似呈线性增大,磁通门磁场测量范围大于±100μT,频带范围大于DC～10kHz,感应电压二次谐波幅值随激励电流的增大先增后降,最佳激励电流为37mA,此时磁通门的感应电压最高,灵敏度最大,达1556.4V/T.
作者：王梦佳 李晓宇 彭根斋 张芦 张志红 俞健 尹泓卜 Author：WANGMeng-jia LIXiao-yu PENGGen-zhai ZHANGLu ZHANGZhi-hong YUJian YINHong-bu
作者单位：西南应用磁学研究所,四川绵阳621000深圳技术大学先进材料测试技术研究中心,广东深圳518118中国核动力研究设计院核反应堆系统设计技术重点实验室,四川成都610213
刊名：磁性材料及器件
Journal：JournalofMagneticMaterialsandDevices
年，卷(期)：2023, 54(5)
分类号：TH122TP212
关键词：磁通门 MEMS 平行激励 原理 仿真
Keywords：fluxgate MEMS parallelexcitation principle simulation
机标分类号：TM933.1TP212TN710
在线出版日期：2023年11月7日
基金项目：四川省科技计划资助项目基于MEMS工艺的平行激励磁通门原理及仿真设计[
期刊论文] 磁性材料及器件--2023, 54(5)王梦佳 李晓宇 彭根斋 张芦 张志红 俞健 尹泓卜介绍了一种平行激励MEMS磁通门的原理,并通过COMSOL多物理场仿真软件对其进行建模计及仿真分析,分别考察激励电流、被测磁场以及被测磁场频率对磁通门感应电压的影响.结果表明,感应电压二次谐波幅值随被测磁场的增高近似...参考文献和引证文献
参考文献
引证文献
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