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基于MEMS工艺的平行激励磁通门原理及仿真设计

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admin 发表于 2024-12-14 12:42 | 查看全部 阅读模式

文档名:基于MEMS工艺的平行激励磁通门原理及仿真设计
摘要:介绍了一种平行激励MEMS磁通门的原理,并通过COMSOL多物理场仿真软件对其进行建模计及仿真分析,分别考察激励电流、被测磁场以及被测磁场频率对磁通门感应电压的影响.结果表明,感应电压二次谐波幅值随被测磁场的增高近似呈线性增大,磁通门磁场测量范围大于±100μT,频带范围大于DC~10kHz,感应电压二次谐波幅值随激励电流的增大先增后降,最佳激励电流为37mA,此时磁通门的感应电压最高,灵敏度最大,达1556.4V/T.

作者:王梦佳   李晓宇   彭根斋   张芦   张志红   俞健   尹泓卜 Author:WANGMeng-jia   LIXiao-yu   PENGGen-zhai   ZHANGLu   ZHANGZhi-hong   YUJian   YINHong-bu
作者单位:西南应用磁学研究所,四川绵阳621000深圳技术大学先进材料测试技术研究中心,广东深圳518118中国核动力研究设计院核反应堆系统设计技术重点实验室,四川成都610213
刊名:磁性材料及器件
Journal:JournalofMagneticMaterialsandDevices
年,卷(期):2023, 54(5)
分类号:TH122TP212
关键词:磁通门  MEMS  平行激励  原理  仿真  
Keywords:fluxgate  MEMS  parallelexcitation  principle  simulation  
机标分类号:TM933.1TP212TN710
在线出版日期:2023年11月7日
基金项目:四川省科技计划资助项目基于MEMS工艺的平行激励磁通门原理及仿真设计[
期刊论文]  磁性材料及器件--2023, 54(5)王梦佳  李晓宇  彭根斋  张芦  张志红  俞健  尹泓卜介绍了一种平行激励MEMS磁通门的原理,并通过COMSOL多物理场仿真软件对其进行建模计及仿真分析,分别考察激励电流、被测磁场以及被测磁场频率对磁通门感应电压的影响.结果表明,感应电压二次谐波幅值随被测磁场的增高近似...参考文献和引证文献
参考文献
引证文献
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基于MEMS工艺的平行激励磁通门原理及仿真设计.pdf
2024-12-14 12:41 上传
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