文档名：基于8英寸的碳化硅单晶生长炉技术
摘要：碳化硅是制作高温、高频、大功率以及高压器件的理想材料之一.为提高生产效率并降低成本,大尺寸碳化硅衬底的制备是重要发展方向.针对8英寸碳化硅单晶生长的工艺需求,分析了碳化硅物理气相输运法生长机理,研究了碳化硅单晶生长炉的加热系统、坩埚旋转、工艺参数控制技术,通过热场模拟仿真分析和工艺试验,成功制备生长了8英寸晶体.
Abstract：Siliconcarbideisoneoftheidealmaterialsforproducinghigh-temperature,high-frequency,high-power,andhigh-voltagedevices.Inordertoimproveproductionefficiencyandreducecosts,thepreparationtechnologyoflarge-sizedsiliconcarbidesubstrateisanimportantdevelopmentdirection.Accordingtotheprocessrequirementsforthegrowthof8-inchsiliconcarbidesinglecrystals,thegrowthmechanismofsiliconcarbidephysicalvaportransportmethodisanalyzed,andthekeytechnologiessuchasheatingsystem,cruciblerotation,andprocessparametercontrolofthesiliconcarbidesinglecrystalgrowthfurnacearestudied.Throughthermalfieldsimulationanalysisandprocessexperiments,theeffectofgrowing8-inchcrystalsisachieved.
作者：靳丽岩 王毅 王宏杰 武昕彤 郭帝江 师开鹏Author：JINLiyan WANGYi WANGHongjie WUXintong GUODijiang SHIKaipeng
作者单位：中国电子科技集团公司第二研究所,太原030024
刊名：电子工艺技术
Journal：ElectronicsProcessTechnology
年，卷(期)：2024, 45(3)
分类号：TN304
关键词：碳化硅 8英寸 物理气相输运 单晶生长炉
Keywords：siliconcarbide 8inches physicalvaportransport singlecrystalgrowthfurnace
机标分类号：TN304.24O782TP27
在线出版日期：2024年7月8日
基金项目：基于8英寸的碳化硅单晶生长炉技术[
期刊论文] 电子工艺技术--2024, 45(3)靳丽岩 王毅 王宏杰 武昕彤 郭帝江 师开鹏碳化硅是制作高温、高频、大功率以及高压器件的理想材料之一.为提高生产效率并降低成本,大尺寸碳化硅衬底的制备是重要发展方向.针对8英寸碳化硅单晶生长的工艺需求,分析了碳化硅物理气相输运法生长机理,研究了碳化硅单晶...参考文献和引证文献
参考文献
引证文献
本文读者也读过
相似文献
相关博文
基于8英寸的碳化硅单晶生长炉技术 Technology of 8-inch Silicon Carbide Single Crystal Growth Furnace
基于8英寸的碳化硅单晶生长炉技术.pdf
- 文件大小:
- 1.07 MB
- 下载次数:
- 60
-
高速下载
|
|
