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级联MOSFET均压测试方法研究

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admin 发表于 2024-12-14 11:16 | 查看全部 阅读模式

文档名:级联MOSFET均压测试方法研究
摘要:文章分析了传统均压测试方法中,隔离高压探头寄生参数对级联MOSFET均压效果的影响.通过改变同一高边MOSFET的DS电压测试探头数量,分析了测试方法引入寄生参数的变化对瞬态均压的干扰程度.基于此提出了一种减法均压测试方法,并对所提出的减法均压测试方法的优化进行了分析与实验验证.实验结果表明该测试方式能精确评估级联MOSFET在稳态以及开通、关断瞬态的均压效果,且不受测试线缆寄生参数的影响.

Abstract:Inthispaper,theinfluenceofisolatedhigh-voltageprobeparasiticparametersonthecascadedMOSFETsvolt-age-sharingintraditionalvoltage-sharingtestmethodisinvestigated.BychangingthenumberofVDSmeasuringprobesinthesamehigh-sideMOSFET,theinterferencedegreeoftheparasiticparametersintroducedintothetestmethodtothetransientvoltage-sharingisanalyzed.Onthisbasis,atestmethodofvoltage-sharingbysubtractionisproposed,anditsoptimizationisanalyzedandverifiedbyexperiments.Theexperimentalresultsshowthattheproposedmethodcanaccu-ratelyevaluatethevoltage-sharingeffectofcascadedMOSFETsinsteadystateandON/OFFtransients,anditisnotaffect-edbytheparasiticparametersofthetestcable.

作者:付明   王子才   张华   张东来 Author:FUMing   WANGZicai   ZHANGHua   ZHANGDonglai
作者单位:哈尔滨工业大学航天学院,哈尔滨150001;深圳航天科技创新研究院,广东深圳518057哈尔滨工业大学航天学院,哈尔滨150001深圳航天科技创新研究院,广东深圳518057哈尔滨工业大学(深圳)机电工程与自动化学院,广东深圳518055
刊名:电测与仪表
Journal:ElectricalMeasurement&Instrumentation
年,卷(期):2024, 61(1)
分类号:TM343
关键词:级联MOSFET  均压测试  高压开关  寄生参数  
Keywords:cascadedMOSFETs  voltage-sharingtest  high-voltageswitch  parasiticparameter  
机标分类号:TM461O343.5TN322.8
在线出版日期:2024年2月3日
基金项目:国家自然科学基金,深圳市科技计划项目,国家科技重大专项级联MOSFET均压测试方法研究[
期刊论文]  电测与仪表--2024, 61(1)付明  王子才  张华  张东来文章分析了传统均压测试方法中,隔离高压探头寄生参数对级联MOSFET均压效果的影响.通过改变同一高边MOSFET的DS电压测试探头数量,分析了测试方法引入寄生参数的变化对瞬态均压的干扰程度.基于此提出了一种减法均压测试方...参考文献和引证文献
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引证文献
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