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金属化膜电容元件宽频特性研究

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admin 发表于 2024-12-14 04:03 | 查看全部 阅读模式

文档名:金属化膜电容元件宽频特性研究
摘要:金属化膜电容器被广泛使用在换流阀等电工装备中,在电力电子开关快速动作的影响下,电容器将承受高频冲击,因此有必要研究宽频范围内电容器的特性.本文以单个电容元件为研究对象,使用数字电桥对20Hz~2MHz范围内电容元件的阻抗特性进行了测量,通过数据拟合和实验测量结合的方式建立了等效电路模型,并对不同频率下的阻抗特性和等效电路参数进行了分析.研究结果表明:在低频(150kHz)下,电容元件内部不同区域的电流分布将发生变化,导致电容元件的等效电感和等效电阻等参数发生频变,引起阻抗特性发生变化.本文结果可对分析高频冲击下电容器劣化机理提供指导.

Abstract:Metallizedfilmcapacitoriswidelyusedinsuchelectricalequipmentasconvertervalvesand,undertheinfluenceofrapidoperationofpowerelectronicswitches,willbesubjectedtohigh-frequencyshocks,itisthereforenecessarytostudythecharacteristicsofthecapacitorinawidefrequencyrange.Inthispaper,thesinglecapacitorelementsistakenasthestudyobject.Theimpedancecharacteristicsofcapacitorelementsintherangeof20Hz~2MHzaremeasuredbyusingadigitalbridge.Anequivalentcircuitmodelissetupbyacombinationofdatafittingandexperimentalmeasurementsandtheimpedancecharacteristicsandequivalentcircuitparametersatdifferentfrequenciesareanalyzed.Thestudyresultsshowthatatlowfrequencies(150kHz),thecurrentdistributionindifferentareasinsidethecapacitorelementwillchange,resultinginafrequencychangeofsuchparametersasequivalentinductanceandequivalentresistanceoftheelement,whichcausesachangeintheimpedancecharacteristics.Theresultsofthispapercanprovideguidanceforanalyzingthedegradationmechanismofcapacitorunderhigh-frequencyshocks.

作者:易承乾   李超然   张波   贾华   盖斌   黄葵   邓光昭   吴云翼   李婉 Author:YIChengqian   LIChaoran   ZHANGBo   JIAHua   GAIBin   HUANGKui   DENGGuangzhao   WUYunyi   LIWan
作者单位:清华大学电机工程与应用电子技术系,北京100084西安高压电器研究院股份有限公司,西安710077嘉善赛晶电容有限公司,浙江嘉善314100中国长江三峡集团有限公司科学技术研究院,北京101199
刊名:电力电容器与无功补偿
Journal:PowerCapacitor&ReactivePowerCompensation
年,卷(期):2024, 45(1)
分类号:
关键词:金属化膜电容器  宽频特性  等效电路  频变参数  
Keywords:metallizedfilmcapacitors  broadbandcharacteristics  equivalentcircuit  frequency-variableparameters  
机标分类号:TM933.2TM564.9TM277
在线出版日期:2024年3月5日
基金项目:国家重点研发计划金属化膜电容元件宽频特性研究[
期刊论文]  电力电容器与无功补偿--2024, 45(1)易承乾  李超然  张波  贾华  盖斌  黄葵  邓光昭  吴云翼  李婉金属化膜电容器被广泛使用在换流阀等电工装备中,在电力电子开关快速动作的影响下,电容器将承受高频冲击,因此有必要研究宽频范围内电容器的特性.本文以单个电容元件为研究对象,使用数字电桥对20Hz~2MHz范围内电容元...参考文献和引证文献
参考文献
引证文献
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