文档名：日盲型AlGaN紫外阵列探测器研制
摘要：针对日盲紫外波段光信号的探测,研制了1280×1024/15μm×15μmAlGaN阵列型紫外探测器.像元采用共用N面电极的PIN台面结构,介绍了器件的结构、材料生长和制作工艺,并对器件进行了光电性能测试.结果表明:器件的正向开启电压大于10V,反向击穿电压大于90V;0.5V偏压时单像元暗电流约为0.1fA,1V偏压时光谱响应范围为255～282nm,270nm峰值波长响应度约为0.12A/W.器件实现了日盲紫外成像演示.
Abstract：Aimingatdetectionofsolar-blindUVbandopticalsignal,1280×1024/15μm×15μmAlGaNUVarraydetectorisresearchedandfabricated.ThepixelunitadoptsPINmesastructuredwithcommonN-sidedelectrode.Thestructure,materialgrowthandmanufacturingprocessofthedeviceareintroduced,andthephotoelectricperformanceofthedeviceistested.Theresultsshowthattheforwardturnonvoltageofthedeviceisgreaterthan10V,thereversebreakdownvoltageisgreaterthan90V.Thedarkcurrentofsinglepixelisabout0.1fAat0.5Vbiasvoltage.Thespectralresponserangeis255～282nmandthepeakwavelengthresponseof270nmisabout0.12A/Wat1Vbiasvoltage.Thedevicerealizesthedemonstrationofsolar-blindUVimaging.
作者：刘海军 张靖 申志辉 周帅 周建超 姚彬彬Author：LIUHaijun ZHANGJing SHENZhihui ZHOUShuai ZHOUJianchao YAOBinbin
作者单位：重庆光电技术研究所,重庆400060
刊名：传感器与微系统
Journal：TransducerandMicrosystemTechnologies
年，卷(期)：2024, 43(4)
分类号：TN312
关键词：AlGaN 日盲紫外 阵列探测器 成像
Keywords：AlGaN solar-blindUV arraydetector imaging
机标分类号：TL99TN23TN312.4
在线出版日期：2024年4月26日
基金项目：国家电网有限公司科技项目日盲型AlGaN紫外阵列探测器研制[
期刊论文] 传感器与微系统--2024, 43(4)刘海军 张靖 申志辉 周帅 周建超 姚彬彬针对日盲紫外波段光信号的探测,研制了1280×1024/15μm×15μmAlGaN阵列型紫外探测器.像元采用共用N面电极的PIN台面结构,介绍了器件的结构、材料生长和制作工艺,并对器件进行了光电性能测试.结果表明:器件的正向开启电压...参考文献和引证文献
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