文档名：闪速微量热芯片的研制
摘要：鉴于高分子结晶动力学研究过程中为抑制结构重组和结晶成核需要超快升降温测试,提出一种基于超薄氧化硅(SiO2)—氮化硅(Si3N4)复合膜的闪速微量热芯片.采用微机电系统(MEMS)技术,以铂(Pt)作为加热丝和测温电阻,采用背面硅干法刻蚀技术加工获得超薄悬空结构,完成闪速微量热芯片的加工,并对芯片热响应特性进行了表征测试.结果显示:闪速微量热芯片升降温响应时间在微秒(μs)量级,升温速率达到7.8×107K/s,并检测到热分析标准物质铟(In)的熔融特征点.
作者：彭金兰 周典法 王秀霞 陈琳 魏钰 周成刚 Author：PENGJinlan ZHOUDianfa WANGXiuxia CHENLin WEIYu ZHOUChenggang
作者单位：中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心微纳研究与制造中心,安徽合肥230026中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心微纳研究与制造中心,安徽合肥230026;中国科学技术大学微电子学院,安徽合肥230026
刊名：传感器与微系统 ISTICPKU
Journal：TransducerandMicrosystemTechnologies
年，卷(期)：2023, 42(3)
分类号：TP212
关键词：高分子结晶动力学 闪速微量热芯片 微机电系统
机标分类号：TH81O631.13TN305.7
在线出版日期：2023年3月27日
基金项目：闪速微量热芯片的研制[
期刊论文] 传感器与微系统--2023, 42(3)彭金兰 周典法 王秀霞 陈琳 魏钰 周成刚鉴于高分子结晶动力学研究过程中为抑制结构重组和结晶成核需要超快升降温测试,提出一种基于超薄氧化硅(SiO2)—氮化硅(Si3N4)复合膜的闪速微量热芯片.采用微机电系统(MEMS)技术,以铂(Pt)作为加热丝和测温电阻,采用背面...参考文献和引证文献
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引证文献
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