文档名：一种K频段4通道高精度有源移相器
摘要：基于130nm双极型晶体管与互补金属氧化物半导体(BipolarandComplementaryMetalOxideSemiconductor,BiCMOS)工艺,采用矢量合成架构的高精度移相器架构,提出了一款满足5G与民用卫星通信应用需求的K频段4通道高精度有源移相器.在移相器输入端和输出端,为了实现单端信号与差分信号的互相转换,同时为信号链路提供一定的增益,采用了有源巴伦结构.为了以更小的芯片面积实现差分信号到4路I/Q正交信号的转换,采用了折叠朗格耦合器;为了实现高精度的相位调节控制,采用了有源矢量合成器.芯片实测结果表明,在18～22GHz的带宽内,各通道小信号增益在-3～-2dB之间,增益平坦度小于1dB,在-45℃～85℃之间增益波动小于3.5dB,6位移相器移相误差均方根(RootMeanSquare,RMS)小于2.5°.芯片尺寸为2.68mm×2.5mm.
Abstract：Basedon130nmbipolarandcomplementarymetaloxidesemiconductor(BiCMOS)technology,aK-band4-channelhighprecisionactivephaseshifterisproposed,for5Gandcivilsatellitecommunicationapplicationbyusingvectormodulatedphaseshifter.Attheinputandoutputportoftheproposedphaseshifter,activebalunisusedtorealizethetransformationbetweensinglesignalanddifferentialsignal,andalsoprovideapropergainforthesignalchain.Tominimizethechiparea,afoldedLangehybridisusedtotransformdifferentialsignalinto4-pathI/Qsignal.Anactivevectormodulatorisusedtorealizehighlyprecisesignalphasecontrol.Thechip-leveltestresultsshowthat,from18GHzto22GHzbandwidth,thesmallsignalgainofeachchannelvariesfrom-3dBto-2dB,thegainflatness<1dB,thegainvariationfrom-45℃to85℃islessthan3.5dB,andthephaseerrorrootmeansquare(RMS)ofthe6bphaseshifterislessthan2.5°.Thechipsizeis2.68mm×2.5mm.
作者：张然Author：ZHANGRan
作者单位：中国西南电子技术研究所,成都610036
刊名：电讯技术 ISTICPKU
Journal：TelecommunicationEngineering
年，卷(期)：2024, 64(5)
分类号：TN433
关键词：5G 卫星通信 有源移相器 BiCMOS工艺
Keywords：5G satellitecommunication activephaseshifter BiCMOStechnology
机标分类号：TN929.53TN701-4TN402
在线出版日期：2024年6月5日
基金项目：一种K频段4通道高精度有源移相器[
期刊论文] 电讯技术--2024, 64(5)张然基于130nm双极型晶体管与互补金属氧化物半导体(BipolarandComplementaryMetalOxideSemiconductor,BiCMOS)工艺,采用矢量合成架构的高精度移相器架构,提出了一款满足5G与民用卫星通信应用需求的K频段4通道高精度...参考文献和引证文献
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