文档名：一种高PSRR高稳定性的LDO设计
摘要：提出了一种高PSRR高稳定性的低压差线性稳压器(LowDropoutLinearRegular,LDO),该LDO设计了高精度的带隙基准电路和误差放大器,并利用前馈纹波消除技术设计了电源抑制比增强模块,有效提高了电路中高频的电源抑制比(PowerSupplyRejectionRatio,PSRR).基于CSMC0.18μm工艺对提出的LDO电路进行仿真验证,芯片面积为150μm×131μm.该LDO在4.5V～5.5V的输入电压范围下,稳定输出不受温度影响的2.5V电压;于1mA轻负载下,电源抑制比在低频处为-103.3dB,在1MHz处超过-60dB.当输出电容为2.2μF时,LDO电路轻载下相位裕度为58.3°,重载下相位裕度为64.1°,具有良好的系统稳定性.
Abstract：AhighPSRRhighstabilitylowdropoutlinearregular(LDO)isproposed.Highprecisionbandgapreferencecircuitanderroramplifieraredesigned,feedforwardrippleeliminationtechnologyisusedtodesignthepowersuppressionratioenhancementmodule,andthehighfrequencypowersupplyrejectionratio(PSRR)iseffectivelyimproved.TheproposedLDOcircuitissimulatedbasedontheCSMC0.18μmprocess,withachipareaof150μm×131μm.ThisLDOhasastableoutputof2.5Vvoltagewithouttemperaturein-fluenceattheinputvoltagerangeof4.5V～5.5V,andat1mAlightload,thepowersuppressionratiois-103.3dBatlowfrequencyandover-60dBat1MHz.Whentheoutputcapacitanceis2.2μF,theLDOcircuitphasemarginis58.3°underlightloadand64.1°underheavyload,withgoodsystemstability.
作者：杨煌虹 武华 陈翰民 黄沥彬 曹先国 Author：YANGHuanghong WUHua CHENHanmin HUANGLibin CAOXianguo
作者单位：赣南师范大学物理与电子信息学院,江西赣州341000;四川芯盛电子有限公司,四川绵阳621000赣南师范大学物理与电子信息学院,江西赣州341000四川芯盛电子有限公司,四川绵阳621000
刊名：电子器件 ISTIC
Journal：ChineseJournalofElectronDevices
年，卷(期)：2024, 47(2)
分类号：TN432
关键词：LDO 高PSRR 高稳定性 前馈纹波消除技术 带隙基准电路
Keywords：LDO highPSRR highstability feedforwardrippleeliminationtechnology bandgapreferencecircuit
机标分类号：TN432TM44TN710
在线出版日期：2024年6月5日
基金项目：国家自然科学基金，江西省教育厅科技项目一种高PSRR高稳定性的LDO设计[
期刊论文] 电子器件--2024, 47(2)杨煌虹 武华 陈翰民 黄沥彬 曹先国提出了一种高PSRR高稳定性的低压差线性稳压器(LowDropoutLinearRegular,LDO),该LDO设计了高精度的带隙基准电路和误差放大器,并利用前馈纹波消除技术设计了电源抑制比增强模块,有效提高了电路中高频的电源抑制比(Po...参考文献和引证文献
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