文档名：碳化硅功率模块封装技术综述
摘要：碳化硅作为宽禁带半导体的代表,理论上具有极其优异的性能,有望在大功率电力电子变换器中替换传统硅IGBT,进而大幅提升变换器的效率以及功率密度等性能.但是目前商用碳化硅功率模块仍然沿用传统硅IGBT模块的封装技术,且面临着高频寄生参数大、散热能力不足、耐温低、绝缘强度不足等问题,限制了碳化硅半导体优良性能的发挥.为了解决上述问题,充分发挥碳化硅芯片潜在的巨大优势,近年来出现了许多针对碳化硅功率模块的新型封装技术和方案,重点关注碳化硅功率模块封装中面临的电、热以及绝缘方面的挑战.该文从优化设计方法所依据的基本原理出发,对各种优化技术进行分类总结,涵盖了降低高频寄生电感、增强散热性能、提高耐高温能力以及提升绝缘强度的一系列相关技术.在此基础上,对相关的可靠性问题进行总结.最后基于碳化硅功率模块封装技术的现状,对相关技术的未来发展进行了展望.
作者：王来利 赵成 张彤宇 闫飞飞Author：WangLaili ZhaoCheng ZhangTongyu YanFeifei
作者单位：电力设备电气绝缘国家重点实验室(西安交通大学)西安710049
刊名：电工技术学报 ISTICEIPKU
Journal：TransactionsofChinaElectrotechnicalSociety
年，卷(期)：2023, 38(18)
分类号：TN305TM46
关键词：碳化硅功率模块 寄生电感 散热能力 耐高温能力 绝缘能力 可靠性
Keywords：Siliconcarbidepowermodules parasiticinductance heatdissipationcapability hightemperatureresistance insulationcapability reliability
机标分类号：TP391.9TN312.8TM46
在线出版日期：2023年10月10日
基金项目：国家重点研发计划碳化硅功率模块封装技术综述[
期刊论文] 电工技术学报--2023, 38(18)王来利 赵成 张彤宇 闫飞飞碳化硅作为宽禁带半导体的代表,理论上具有极其优异的性能,有望在大功率电力电子变换器中替换传统硅IGBT,进而大幅提升变换器的效率以及功率密度等性能.但是目前商用碳化硅功率模块仍然沿用传统硅IGBT模块的封装技术...参考文献和引证文献
参考文献
引证文献
本文读者也读过
相似文献
相关博文
碳化硅功率模块封装技术综述 Review of Packaging Technology for Silicon Carbide Power Modules
碳化硅功率模块封装技术综述.pdf
- 文件大小:
- 13.93 MB
- 下载次数:
- 60
-
高速下载
|
|
