文档名：一种紧凑的射频CMOS放大器LC输出匹配电路
摘要：提出了一种紧凑的射频互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetalOxideSemiconductor,CMOS)放大器LC输出匹配电路,利用放大器漏极偏置电感、输出端隔直电容与放大器输出端并联电感电容形成高阶LC谐振网络,可在占用较小芯片面积的条件下实现较传统L型匹配电路更宽频率范围的输出阻抗匹配.推导了该LC输出匹配电路元件值的计算式,并根据提出的设计方法,采用65nmCMOS工艺设计了一款K频段放大器,其输出匹配电路尺寸仅98μm×150μm.仿真结果表明,在16.5～22.1GHz频率范围内放大器的S22<-10dB,阻抗匹配带宽相比L型匹配电路增加166%.放大器实测S参数和仿真结果相符,验证了该LC匹配电路可实现紧凑的宽带阻抗匹配.
Abstract：Acompactradiofrequency(RF)complementarymetaloxidesemiconductor(CMOS)amplifierLCoutputmatchingcircuitisproposed.Ahigh-orderLCresonantnetworkisformedbyusingthedrainbiasinductor,theoutputDCblockcapacitor,andtheoutputparallelLCoftheamplifier.ItcanachieveoutputimpedancematchinginawiderfrequencyrangethantraditionalL-typematchingcircuitundertheconditionofoccupyingasmallchiparea.TheformulaforcalculatingthecomponentvaluesoftheLCoutputmatchingcircuitisdeduced,andaccordingtotheproposeddesignmethod,aK-bandamplifierisdesignedwitha65nmCMOSprocess,anditsoutputmatchingcircuitsizeisonly98μm×150μm.ThesimulationresultsshowthatS22oftheamplifierislessthan-10dBin16.5～22.1GHz,andtheimpedancematchingbandwidthisincreasedby166%comparedwiththatoftheL-typematchingcircuit.ThemeasuredS-parametersoftheamplifierareconsistentwiththesimulationones,whichverifiesthattheLCmatchingcircuitcanachievecompactbroadbandimpedancematching.
作者：赵晓冬Author：ZHAOXiaodong
作者单位：中国西南电子技术研究所,成都610036
刊名：电讯技术
Journal：TelecommunicationEngineering
年，卷(期)：2024, 64(4)
分类号：TN722
关键词：紧凑匹配电路 射频CMOS放大器 宽带阻抗匹配 LC谐振网络
Keywords：compactmatchingcircuit RFCMOSamplifier broadbandimpedancematching LCresonantnetwork
机标分类号：TN432TN850TN929.53
在线出版日期：2024年4月30日
基金项目：一种紧凑的射频CMOS放大器LC输出匹配电路[
期刊论文] 电讯技术--2024, 64(4)赵晓冬提出了一种紧凑的射频互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetalOxideSemiconductor,CMOS)放大器LC输出匹配电路,利用放大器漏极偏置电感、输出端隔直电容与放大器输出端并联电感电容形成高阶LC谐振网络,可在占用较小...参考文献和引证文献
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