文档名：新型单相低能耗半桥逆变器
摘要：为实现单相半桥逆变器的高效率运行,设计了一种新型单相低能耗半桥逆变器.在逆变器工作过程中,主开关和辅助开关均能完成零电压软切换,逆变器主开关采用高频金属氧化物半导体场效应晶体管(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor,MOSFET)时,都能实现零损耗切换,消除了MOSFET内部结电容导致的容性开通损耗.文中具体分析了电路工作过程.在额定功率为1kW样机上的实验结果表明开关器件都实现了软切换.因此该半桥软开关逆变器拓扑结构对于提高逆变器的性能具有重要意义.
作者：王强 王有政 王天施 刘晓琴Author：WANGQiang WANGYou-zheng WANGTian-shi LIUXiao-qin
作者单位：辽宁石油化工大学信息与控制工程学院,辽宁抚顺113001;辽宁石油化工大学石油化工过程控制国家级实验教学示范中心,辽宁抚顺113001
刊名：电子学报 ISTICEIPKU
Journal：ActaElectronicaSinica
年，卷(期)：2023, 51(3)
分类号：TM464
关键词：逆变器 半桥 低能耗 零电压开关 高效率
机标分类号：TN386.1TN929.53TN86
在线出版日期：2023年5月6日
基金项目：新型单相低能耗半桥逆变器[
期刊论文] 电子学报--2023, 51(3)王强 王有政 王天施 刘晓琴为实现单相半桥逆变器的高效率运行,设计了一种新型单相低能耗半桥逆变器.在逆变器工作过程中,主开关和辅助开关均能完成零电压软切换,逆变器主开关采用高频金属氧化物半导体场效应晶体管(MetalOxideSemiconductorFi...参考文献和引证文献
参考文献
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