文档名：重离子辐照对CMOS电容经时击穿特性的影响研究
运行于空间辐射环境的微纳米器件不仅要承受电场强度增强带来的自身可靠性问题,还要受到外部辐射环境中高能粒子导致的辐射损伤.同时,空间高能粒子带来的辐射损伤可进一步加剧器件的可靠性问题.本文对130nmSOI工艺不同面积的电容样品进行了重离子辐照试验前后的器件电学特性、介质经时击穿特性研究.研究结果表明,虽然重离子辐照后器件电学特性没有发生显著变化,但是经时击穿电压显著降低,即重离子辐照对介质产生了潜在损伤.
作者：崔江维 郑齐文 魏莹 刘梦新 卜建辉 余学峰 何承发 郭旗
作者单位：中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆电子信息材料与器件重点实验室,中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011中国科学院硅器件技术重点实验室,北京,100029
母体文献：中国电子学会可靠性分会第二十届可靠性物理年会论文集
会议名称：中国电子学会可靠性分会第二十届可靠性物理年会
会议时间：2018年10月1日
会议地点：广州
主办单位：中国电子学会
语种：chi
分类号：TN4O57
关键词：微纳米器件 互补金属氧化物半导体 重离子辐照 经时击穿特性
在线出版日期：2021年12月15日
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