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以濺鍍低熔點DyMM=Cu及Al合金膜進行晶界擴散提升燒結NdFeB磁石本質矯頑磁力之研究
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发表于 2024-12-11 21:40
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文档名:以濺鍍低熔點DyMM=Cu及Al合金膜進行晶界擴散提升燒結NdFeB磁石本質矯頑磁力之研究
本研究探讨了低熔点Dy100-xCux及Dy100-xAlx(x=0-20)合金溅镀膜对不同温度下(Td=800-950℃)进行晶界扩散(GBD)的烧结NdFeB磁石磁性与微观组织之影响.实验结果显示经适当Dy-M合金薄膜GBD后之样品,其磁能积((BH)max)几乎不变,本质矫顽磁力(iHc)于Td=800-900℃明显地提升.就Dy膜晶界扩散后之磁石而雷,每单位wt%之Dy提升iHc量(ΔiRc/wt%Dy)会随着Td上升而有先升后降之趋势,从800℃之7.9kOe/wt%上升至900℃之11.2kOe/wt%,后降至950℃之7.2kOe/wt%.至于Dy-Cu和Dy-A1合金膜GBD后的样品,其ΔiHc/wt%Dy分别从800℃之8.5-9.0kOe/wt%和9.5-10.4kOe/wt%上升至850℃之11.8-12.5kOe/wt%和12.8-13.8kOe/wt%,而后微降至900℃之10.5-10.9kOe/wt%和12.3kOe/wt%.因DyM有较低之熔点,故在相同温度下可扩散至磁石较深处,因此溅镀Dy-M膜进行GBD后之磁石,在较低扩散温度下(Td=800-850℃)有较高ΔiHc/wt%Dy值.在Dy100-xCux及Dy100-xAlx两系列溅镀膜中,成分分别为Dy85Cu15和Dy94Al6进行晶界扩散后展现出最高的ΔiHc/wt%Dy值,分别为12.5kOe/wt%及13.8kOe/wt%.本研究揭示了使用低熔点Dy100-xMx(x=0-20;M=Cu及Al)合金膜作为扩散源可有效提升利用Dy提高烧结NdFeB磁石本质矫顽磁力之效益.
作者:石至為 黃辰軒 邱軍浩 張晃暐 張文成
作者单位:國立中正大學物理系中國鋼鐵公司新材料發展東海大學應用物理系
母体文献:2017年海峡两岸粉末冶金技术研讨会论文集
会议名称:2017年海峡两岸粉末冶金技术研讨会
会议时间:2017年4月9日
会议地点:台湾新竹
主办单位:中国有色金属学会,台湾粉体及粉末冶金协会
语种:chi
分类号:TQ1TN9
关键词:钕铁硼磁石 合金溅镀膜 晶界扩散 本质矫顽磁力
在线出版日期:2017年12月8日
基金项目:
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2024-12-11 21:40 上传
以濺鍍低熔點DyMM=Cu及Al合金膜進行晶界擴散提升燒結NdFeB磁石本質矯頑磁力之研究.pdf
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