文档名：用于Ka波段输能窗的AlN窗片及封接技术研究
本文研制了高导热低损耗的AlN陶瓷,制备的AlN陶瓷介电常数8.4,损耗角正切5×l0-4,常温热导率为186W/(m·K);同时研制出了热导率为192W/(m·K)的氮化铝陶瓷.完成了AlN的陶瓷-金属封接工艺,封接件抗拉强度大于78MPa,制备了AlN陶瓷输能窗,钎焊后的AlN陶瓷一金属封接件及输能窗检漏结果均气密,氦漏率小于1×10-11Pa·m3/s.本文研制的AlN陶瓷及封接工艺不但满足输能窗用介质材料的性能要求.还可以应用于微波管收集极及夹持杆等方面.
作者：杨艳玲鲁燕萍王松
作者单位：北京真空电子技术研究所,北京100015
母体文献：电子陶瓷、陶瓷—金属封接第十九届会议暨真空电子与专用金属材料分会2019年年会论文集
会议名称：电子陶瓷、陶瓷—金属封接第十九届会议暨真空电子与专用金属材料分会2019年年会
会议时间：2019年9月18日
会议地点：湖南娄底
主办单位：中国真空电子材料行业协会
语种：chi
分类号：
关键词：氮化铝陶瓷 输能窗 封接工艺 介电性能 热导率
在线出版日期：2020年7月9日
基金项目：
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