文档名：芯片用钽阻挡层材料织构控制技术研究
本文对半导体芯片技术的不同技术阶段和发展趋势进行了梳理,总结分析了钽阻挡层制备材料——钽靶材的技术现状和发展趋势;指出了在由8英寸晶圆用的8英寸钽靶材发展到目前最先进的12英寸晶圆用的12英寸钽靶材时,其织构要求发生的变化和织构控制的难点;CNMNC采用SPD和WR塑性变形技术,进行织构控制,攻克了这一难题,得到了满足12英寸晶圆用的12英寸钽靶材,并对CNMNC钽靶材织构的测量体系进行了介绍;最后对未来半导体芯片技术发展进行了介绍,并对钽靶材的市场前景进行了展望.
作者：钟景明何季麟汪凯李兆博郑爱国王莉宿康宁
作者单位：中色(宁夏)东方集团有限公司,宁夏石嘴山市753000
母体文献：2015年全国粉末冶金学术会议暨海峡两岸粉末冶金技术研讨会论文集
会议名称：2015年全国粉末冶金学术会议暨海峡两岸粉末冶金技术研讨会
会议时间：2015年9月9日
会议地点：武汉
主办单位：中国机械工程学会,中国金属学会,中国有色金属学会,中国材料研究会
语种：chi
分类号：TN4TN3
关键词：半导体芯片 钽阻挡层材料 钽靶材 织构控制技术
在线出版日期：2016年5月31日
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