文档名：肖特基结退化对热瞬态测量的影响及修正方法研究
目的：研究GaNHEMT器件中肖特基结的陷阱效应对利用正向肖特基电压测量瞬态温度曲线的影响,对测量结果提出了一种修正方法。方法：通过测量陷阱效应引起的正向电压变化,修正传统方法下瞬态温度曲线中利用结构函数法提取的热阻值。结果：修正后的结果具有高度一致性,这与器件加热阶段施加相同功率相吻合.结论：传统利用正向肖特基结电压方法测量温度瞬态曲线会受到陷阱效应的影响,该影响是由测试电流本身引起的.通过文中提出的方法,可以修正测定值,给出更为准确的器件纵向热阻构成.
作者：郑翔冯士维白昆张亚民何鑫李轩肖宇轩潘世杰
作者单位：北京工业大学,北京100024
母体文献：中国电子学会可靠性分会第二十届可靠性物理年会论文集
会议名称：中国电子学会可靠性分会第二十届可靠性物理年会
会议时间：2018年10月1日
会议地点：广州
主办单位：中国电子学会
语种：chi
分类号：TN3TN2
关键词：高电子迁移率晶体管 氮化镓 肖特基结 陷阱效应 热瞬态测量 修正方法
在线出版日期：2021年12月15日
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