文档名：外延生长法制备的Si基1.3微米量子点激光器
近年来通过制备硅基Ⅲ-Ⅴ族半导体激光器以实现高性能硅基光源的研究备受人们关注.在Si衬底上外延生长Ⅲ-Ⅴ族激光器材料的方法易于实现Ⅲ-Ⅴ族材料与Si衬底的大面积集成,因而成为一条很有希望的技术途径.本工作在生长了Ge缓冲层的Si(001)衬底上外延生长GaAs缓冲层，利用GaAs与Ge晶格常数非常接近的特点，生长出表面比较平整、位错缺陷较少的GaAs外延层。然后生长了多周期的应变超晶格位错阻挡层，进一步降低了穿透到外延层上部的位错密度。最后生长了1.3微米InAs/GaAs应变自组织量子点激光器结构，并制备出Si基1.3微米量子点激光器宽条形器件。
作者：杨冠卿徐波梁平吕尊仁胡颖于天刘峰奇杨涛陈涌海王占国
作者单位：中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100083
母体文献：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会论文集
会议名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会
会议时间：2017年5月25日
会议地点：厦门
主办单位：厦门大学,浙江大学
语种：chi
分类号：
关键词：量子点激光器 外延生长法 位错密度 宽条形器件
在线出版日期：2020年6月22日
基金项目：
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