文档名：双极型晶体管质子辐射位移损伤效应研究
双极型器件广泛应用于航天、核反应堆等具有辐射性的领域,辐照会导致双极器件参数退化、稳定性降低,有必要对其辐射损伤效应进行深入研究.本文以双极型晶体管为研究对象,选取质子作为辐照源,通过改变辐照源的注量以及计算分析,研究了位移效应的特点及其对电性能退化的影响规律,并采用1/f低频噪声表征了晶体管辐照前后的性能退化.试验结果表明:晶体管电流增益随质子辐射注量增加而降低,在本试验中低能质子主要产生位移损伤,电离损伤不够明显.
作者：夏鹏 杨少华 吴福根
作者单位：广东工业大学材料与能源学院,广州510610工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及应用技术重点实验室,广州510610
母体文献：中国电子学会可靠性分会第二十届可靠性物理年会论文集
会议名称：中国电子学会可靠性分会第二十届可靠性物理年会
会议时间：2018年10月1日
会议地点：广州
主办单位：中国电子学会
语种：chi
分类号：TN3TN7
关键词：双极晶体管 辐射剂量 位移效应 电性能退化
在线出版日期：2021年12月15日
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